新手成长必修课主板BIOS的44招密技大全
日期:2007年7月25日 作者: 查看:[大字体 中字体 小字体]-
想要试一试改变系统速度的人,可以将上述的选项由刚刚设的「Enabled」改成「Disabled」或「User Defined」,如果你的BIOS可以让你改变的话,详见上图所示,你可以自己设定适当的参数,以下还会再说明一些。
27. 降低RAS-to-CAS的延滞值
我们最好将系统内存想程序一个二维的查询表,当我们要存取数据时,需要先指定存放数据的一列(row)地址所在,也就是送出一个称为RAS(Row Address Strobe)的讯号,然后接着送出CAS(Column Address Strobe)的讯号来定义行(Column)的数据位置,透过哪一行及哪一列的位置确定,就可以找到正确的数据存放位置,不过在接连送出的RAS和CAS的讯号间,需要有一个短暂停顿,以确保内存的正确位置被锁定,这就是本文所谓的RAS-to-CAS的延滞,一般的数值是二到三个内存频率的延迟时间。
设定「SDRAM RAS to CAS Delay」数值是为了设定RAS的讯号送出后,在隔多少内存频率后才送出CAS的讯号,可能的数值范围是2到5,2是最快的,每次调一个数字再测试整个系统的稳定性,愈好的内存模块,可以让你设定更快的数值而系统依然可以稳定运作。
28. 降低CAS的延滞
内存的数据存取是靠着内存寻址后,在一段特定延滞时间区间之中,才可以读写该内存位置的内容,这段时间区间就称为内存延滞时间(latency),对每一内存单位可以设为「2T」,也就是两个内存频率的延迟,或「3T」有三个内存频率的延迟,如此类推,愈小的「SDRAM CAS Latency」数值表示效能愈高,反之亦然。
最安全与最正确的「SDRAM CAS Latency」数值通常会印在内存模块的卷标上,或干脆就蚀刻在芯片上,一般的数字在低价内存模块的产品会是3T或2.5T,如果将2.5T降到2T时,需要再一次确定系统的稳定性,有些内存制造商宣称他们的内存模块可以设到2T,而且还可以跑高的频率速度,一旦缩短CAS延滞时间成功后,你可以试一试将内存频率的数字也一并增加,使用者可以在「Memory Frequency」选项中修改。
请注意,一次只变动一个项目,然后重新启动系统再做一次测试,这有助于一旦不稳定发生时能够让你回复到正确的参数。
29. 降低内存加载时间
内存单元的电荷充电时间的快慢影响整体运作速度,在「SDRAM RAS Precharge Delay」项目中数值改变,通常用几个频率数字代表,会影响RAS讯号送出,而内部充电电荷水位已经开始建立的时间区间的长短,愈小的数值设定,例如设定为「2」时,会让整体运作速度节奏变快,不过,设定数字越大,系统运作会更稳定,与先前建议一样,一次改一个数字,检查稳定运作后再做下一个改变。
30. 缩短两次内存存取间的延迟
在「SDRAM Active Precharge Delay」项目可以设定一个内存频率数字,用来表示下一次内存存取所需要延迟的时间,一旦延迟时机缩短,内存存取就会加快。
设定这个数字最好的黄金公式是:Active Precharge Delay = CAS-Latency + RAS Precharge Delay + 2(加上合理安全范围),为了试验其它可能的黄金组合的数字,一次减一个频率的延迟,看看可不可以正常运作,一旦有问题发生,可以再跳回先前安全设定。
31. 读取内存时序
内存时序:利用微调的改变可以帮助内存效能。
在第27到第30小技巧中所建议的数值都是针对内存模块本身而设的,有一组数值为「2.5-4-4-8」的时序参数,表示CAS延迟2.5频率,RAS to CAS延迟为4频率,RAS Precharge延迟为4频率,Active Precharge延迟为8频率,这种表现的方法通常是内存制造商所建议设定值,当数字改的越小,表示系统可以工作的更快,但是风险就是让系统会有当机的危险,为了改善系统的效能,一次减少一阶数字,在试试看够不够稳定,使用者可参考上图的例子。 - 上一页 [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] 下一页
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