AMD64详尽内存参数优化指南(超频必看)
日期:2007年7月23日 作者: 查看:[大字体 中字体 小字体]-
影响:轻微影响内存带宽和稳定性
建议设置:1是最佳性能,超频内存时建议设为2。
Readto Write Delay(tRWT)
Settings = Auto, 1-8 ,步进1
tRWT不是一个标准的内存时序参数,当内存控制器接收到一个读指令后立即又收到一个写指令,在写指令执行之前,会产生一个额外的延迟。较低的延迟可以提高内存子系统的写速度。如果想快速的完成读到写的转换,建议设为1个时钟周期。但显然并非所有的内存都能达到这个要求,不稳定时也会出现数据覆盖的错误。
影响:轻微影响内存带宽和稳定性
建议设置:1是最好性能,超频用户建议为4。普通用户在稳定的基础上选用1。
RefreshPeriod(tREF)
Settings = Auto, 0032-4708 ,步进非固定值。us为微秒
1552= 100mhz(?.?us)
2064= 133mhz(?.?us)
2592= 166mhz(?.?us)
3120= 200mhz(?.?us)(BH-5/6的建议值,频率可达到250+MHz)
--------------------
3632= 100mhz(?.?us)
4128= 133mhz(?.?us)
4672= 166mhz(?.?us)
0064= 200mhz(?.?us)
--------------------
0776= 100mhz(?.?us)
1032= 133mhz(?.?us)
1296= 166mhz(?.?us)
1560= 200mhz(?.?us)
--------------------
1816= 100mhz(?.?us)
2064= 133mhz(?.?us)
2336= 166mhz(?.?us)
0032= 200mhz(?.?us)
--------------------
0388= 100mhz(15.6us)
0516= 133mhz(15.6us)
0648= 166mhz(15.6us)
0780= 200mhz(15.6us)
---------------------
0908= 100mhz(7.8us)
1032= 133mhz(7.8us)
1168= 166mhz(7.8us)
0016= 200mhz(7.8us)
---------------------
1536= 100mhz(3.9us)
2048= 133mhz(39us)
2560= 166mhz(3.9us)
3072= 200mhz(3.9us)
---------------------
3684= 100mhz(1.95us)
4196= 133mhz(1.95us)
4708= 166mhz(1.95us)
0128= 200mhz(1.95us)
这个参数是用来设定刷新的间隔时间,除了Auto选项,还有非常多的选项可以选择。Auto表示根据内存的SPD信息来设定,通常是一个很慢的值,为了保证最好的兼容性。数值越高表示性能越好,最高可以达到128us,但太高的值可能导致内存数据丢失,因此我们可以一点一点的增加来得到最理想的数值,前提也是系统足够稳定。
另外根据早期的资料显示,内存存储每一个bit,都需要定期的刷新来充电。不及时充电会导致数据的丢失。DRAM实际上就是电容器,最小的存储单位是bit。每个bit都能随机地访问。但如果不充电,数据只能保存很短的时间。因此我们必须每隔15。6us就刷新一行。每次刷新时数据就被重写一次。正是这个原因DRAM也被称为非永久性存储器。一般通过RAS-only的刷新方法(行刷新),每行每行的依次刷新。早期的EDO内存每刷新一行耗费15。6us的时间。因此一个2Kb的内存每列的刷新时间为15。6usX2048行=32ms。
影响:轻微影响稳定性和内存带宽
建议设置:根据经验,tREF和tRAS一样,不是一个精确的数值。通常15。6us和3。9us都能稳定运行,1。95us会降低内存带宽。此外还有很多未知的值(?。?us),大多数用户发现3120=200mhz(?。?us)是一个既稳定性能又好的设置,但也同使用的内存芯片有关。 - 上一页 [1] [2] [3] [4] [5] [6] 下一页
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