AMD64详尽内存参数优化指南（超频必看）

• 　　tRP用来设定在另一行能被激活之前，RAS需要的充电时间。tRP参数设置太长会导致所有的行激活延迟过长，设为2可以减少预充电时间，从而更快地激活下一行。然而，想要把tRP设为2对大多数内存都是个很高的要求，可能会造成行激活之前的数据丢失，内存控制器不能顺利地完成读写操作。因此，在稳定的前提下建议tRP设为2，万一不够稳定就必须增加到3或4。
  影响：主要影响带宽和稳定性
  简直设置：2-4。2为最佳性能，4-5能达到内存的极限频率。
  
  
  
  
  RowCycle Time（tRC）
  Settings = Auto， 7-22，步进为1。
  　　这个参数用来控制内存的行周期时间。tRC决定了完成一个完整的循环所需的最小周期数，也就是从行激活到行充电的时间。根据方程，tRC=tRAS+tRP。因此，在设定tRC之前，必须参考一下tRAS和rRP的数值。如果行周期时间过长，会延迟完成一个周期后激活新的行地址的时间。然而，太短会导致被激活的行还未充分充电就开始下一个初始化，这样会造成数据丢失或覆盖。一般情况下根据tRC= tRAS + tRP 把tRC设为一个较低的值，例如tRAS为7个时钟周期，tRP为4个时钟周期，则理想的tRC值为11。
  影响：主要影响稳定性和内存带宽
  建议设置：7为最佳性能，15-17为超频建议参数，可以从16开始逐步调低直到稳定。记住公式tRC = tRAS +tRP 。
  RowRefresh Cycle Time（tRFC）
  Settings = Auto， 9-24 ，步进为1。
  　　这个设定代表在同一bank中刷新一个单独的行所需的时间。同时还是同一bank中两次刷新指令的间隔时间。tRFC应该比tRC高。
  影响：主要影响内存带宽和稳定性。
  建议设置：通常不能达到9，而10为最佳设置。17-19是内存超频建议值。可以从17开始逐步往下调节。大多数稳定值为tRC加上2-4个时钟周期。
  Rowto Row Delay（也称为RAS to RAS delay）（tRRD）
  Settings = Auto， 0-4，步进1
  　　此参数表示连续的激活指令到内存行地址的最小间隔时间，也就是预充电时间。延迟越低，表示下一个bank能更快地被激活，进行读写操作。然而，由于需要一定量的数据，太短的延迟会引起连续数据膨胀。对于桌面电脑，建议使用2个时钟周期的延迟，此时的数据膨胀可以忽视。tRRD设为2可以提高DDR内存的读写性能，当2才稳定时才应该设为3。
  
  影响：轻微影响内存带宽和稳定性
  建议设置：00是最佳性能参数，4超频内存时能达到最高的频率。通常2是最合适的值，00看上去很奇怪，但有人也能稳定运行在00-260MHz。
  
  
  WriteRecovery Time（tWR）
  Settings = Auto， 2， 3。
  　　tWR表示，在一个内存bank被充电之前，一个有效的写操作完成后延迟的时间。这个延迟保证了在充电之前写缓冲里的数据就能被写入内存单元。延迟越短，说明花更少的时间就能对下一次读写操作充电，但同时也有覆盖数据的可能。我的建议是，使用DDR266和DDR200时可以设为2，但DDR333和DDR400可能不一定稳定，这样就必须设为3。总之在稳定的前提下尽量降低延迟。
  影响：轻微影响内存带宽和稳定性
  建议设置：2为最佳性能，超频用户可以考虑3。
  Writeto Read Delay（tWTR）
  Settings = Auto， 1， 2
  　　这个参数控制写数据到读指令的延迟，它表示在同一bank中，最近的一次有效写操作到下一次读指令间隔的时钟周期。1个时钟周期自然可以提供从读到写更快速的切换。设为2会影响读数据的速度，但提高稳定性，尤其是高频时。换句话说，对内存超频的玩家，我们建议设为2。通常DDR266和DDR333都能稳定运行在1，这样内存的读速度会更快。当然DDR400的用户也能尝试着设为1，但如果不稳定就必须降到2了。
  　　tWTR表示读到写的延迟。三星把这个参数称之为TCDLR（last data in to read command），JDED规格中把它定为一个时钟周期。
  
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