一步成高手：终极图解内存（下篇）

日期：2007年8月17日作者：查看:[大字体中字体小字体]

DRSL发信技术与其他内存接口发信技术的比较

C、八倍数据流技术（ODR，Octal Data Rate）。目前采用黄石技术的RDRAM，时钟频率仍是400MHz，但芯片内部通过专用的锁相回路（PLL）将其转换为1.6GHz的内部时钟，然后在此基础上使用DDR技术，从而能在一个时钟周期内传输8次数据。数据传输频率也因此达到了3.2GHz。

ODR操作示意图

D、固定相位技术（FlexPhase），使内存生产者不再费力的去调校PCB的设计以减少延迟/潜伏期对数据/时钟间同步的影响。固定相位技术使信号本身就具备了数据/时钟同步与自校准能力，从而使外围有关时序跟踪的设计与布线变得非常简单，并有助于提高同步性，提高总线利用率。

黄石技术于2001年10月2日正式发布，但是虽然它有这样那样的优点，但从最近的资料中显示，Rambus主要将其定位于消费电子、网络、通信和图形设备市场。对于目前的桌面PC市场，黄石在近期应用的可能性并不大。

Rambus展示的用于显卡的点对点黄石RDRAM显存方案
昔日贵族——Rambus DRAM（四）

1、延迟与总线利用率的比较

仍以PC800为例，由于tRAC已经包括了从行选通至数据输出的所有延迟，与是否双通道无关，所以我们只需将它再加上命令包的占用时间即可算出RDRAM一次访问所需要的时间。PC800的tRAC基本都是40ns（16个时钟周期），加上命令包占用的4个时钟周期10ns，总共耗时为50ns。而这是在行关闭的情况下，没有计算预充电的时间tRP，它一般为12个时钟周期（加上命令包时间），即30ns，共计80ns。显然，时钟频率越高，延迟就会越短。下面就来比较一下读取操作时RDRAM与DDR SDRAM的延迟。

读取操作时RDRAM与DDR SDRAM的延迟比较表

点击查看大图

从对比表中可以看出，RDRAM相对于DDR SDRAM在首次寻址时的确存在较大的延迟，即使是最新的PC1066，在与DDR-333的比较中也不占优势。不过，借助于双通道的设计，RDRAM在高数据量传输应用中的优势还是比较明显的。另外，在总线的利用率方面RDRAM的设计也居领先地位，这为保证它的总体效率提供了坚实的保障。

各内存的总线效率比较

这个对比表是东芝公司经过反复实验而得出的结论，它是通过一些典型的操作（如写-读-读），结合不同页命中情况下的时序，以及刷新对内存操作的影响等分析而得出的。由于DDR SDRAM在L-Bank数量上占劣势，所以出现L-Bank寻址冲突的可能性要大为提高，而且在写后读操作中，RDRAM的延迟也明显小于SDRAM家族，因此虽然PC800的峰值带宽不如DDR-266，但综合效率要更好。这可以解释为什么在一些测试中，RDRAM明显比DDR领先的原因。不过，在以零散数据为主的操作中，RDRAM的固定传输周期以及高延迟就成为了性能的障碍。
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